7nm制程将成台积电力压英特尔主战场

安谋（ARM）与台积电联合宣告一项为期多年的协议，针对7纳米FinFET制程技术展开合作，还包括提供支援未来低功耗、高效能运算系统单晶片（SoC）的设计解决方案。这项协议沿袭先前使用ARMArtisan基础实体IP之16纳米与10纳米FinFET的合作。　　事实上，以台积电目前先进设备制程之生产时程来看，归属于同一世代的10纳米、7纳米工程进度早已平上，甚至打破竞争对手英特尔（Intel）。

　　台积电先进设备制程10纳米、7纳米、5纳米等部分，所有制程皆onschedule10纳米制程2016第1季已完成产品认证，而10纳米/7纳米应用于十分普遍，如手机、高阶networking、Gaming、wearable等，具备较慢的传输效率及较低耗电量，而7纳米预计2018年第1季开始量产。　　据理解，英特尔估算在2018年确认10纳米量产，7纳米估算之前2019年，而三星电子（SamsungElectronics）目前10纳米工程进度较不确认，台积电在10/7纳米世代早已展现出雄心，并且进行多方客户布局。　　部分涉及下游业者回应，不一定不会用于10纳米产品，如20纳米为16纳米制程之过渡期产品，反而7纳米才是下一世代瞄准的主力目标，而此次台积电与ARM的长年合约议定，也奠定7纳米未来将沦为国际大厂的主战场。

　　据台积电于先前公开发表法人说明会之众说纷纭，7纳米制程可在2018年第1季获取，而依照台积电之计划，5纳米将不会在7纳米制程的2年后发售，大约在2020年上半可见端倪。

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